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Renesas Electronics America Inc
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Renesas Electronics America Inc 70P269L65BYGI
| Artikelnummer: | 70P269L65BYGI |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Renesas Electronics America Inc 70P269L65BYGI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 70P269L65BYGI.Produkteigenschaften Eigenschaften Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 65ns Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Supplier Device-Gehäuse 100-CABGA (6x6) Serie - Verpackung / Gehäuse 100-TFBGA Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Speichertyp Volatile Speichergröße 256Kbit Speicherorganisation 16K x 16 Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat SRAM Grundproduktnummer 70P269L Zugriffszeit 65 ns 70P269L65BYGI Einzelheiten PDF [English] 70P269L65BYGI PDF - EN.pdf -
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